Intel создала самые быстрые кремниевые транзисторы.

По мнению специалистов Intel, этот факт демонструет то, что непреодолимых барьеров для продолжения действия закона Мура до конца этого десятилетия не существует. Новые транзисторы с элементами размером всего 20 нанометров позволят Intel создать примерно к 2007 году. Микропроцессоры, которые будут содержать порядка миллиарда транзисторов и работать на частоте до 20 ГГц при напряжении питания менее одного вольта. Исследователи Intel Labs рассказали об этих достижениях вчера в г. Киото, Япония, на конференции инженеров и ученых, занимающихся полупроводниками — Silicon Nanoelectronics Workshop 2001. «Эти исследования демонстрируют, что Intel уже перешла в эпоху нанотехнологий в области полупроводников, — считает директор лаборатории Components Research Lab подразделения Intel Technology and Manufacturing Group доктор Джеральд Марсик. — Наши достижения в области создания транзисторов показывают, что мы способны продлить действие закона Мура как минимум еще на три поколения технологий».

20-нанометровые транзисторы, разработанные учеными Intel Labs, на 30% меньше и на 25% быстрее самых быстродействующих транзисторов, которые также были созданы специалистами Intel. (Нанометр (нм) — одна миллиардная часть метра). Чем меньше транзистор, тем быстрее он работает, а быстродействующие транзисторы — это основные элементы мощных микропроцессоров, которые используются в компьютерах и множестве других «интеллектуальных» устройств. Такие транзисторы составят основу нового поколения технологических процессов 45 нм (0,045 мкм), которые Intel планирует внедрить в производство ориентировочно в 2007 году. Новые транзисторы, которые работают как вентили, управляющие потоками электронов в микросхеме, могут включаться и выключаться более триллиона раз в секунду. Построенные на их основе микропроцессоры смогут выполнять почти миллиард операций в мгновение ока или четыре миллиона операций за то время, как пуля пролетает расстояние в один дюйм, то есть, 2,5 см. Толщина пленки оксида, используемой для формирования затвора этих транзисторов, составляет всего лишь три атомарных слоя. Чтобы получить толщину бумажного листа, пришлось бы уложить друг на друга более 100 тысяч таких слоев оксидной пленки.

Последняя редакция от 20.06.2001
1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (Пока оценок нет)
Загрузка...
Поделитесь в сетях!

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *


Максимальный размер файла: 9 MB.
Вы можете загрузить изображения